九州大学 · 総合理工学府・総合理工学研究院

研究キーワードcompound semiconductor epitaxy・GaN surface science・metalorganic vapor phase epitaxy・ab initio materials simulation・kinetic roughening・AlGaN heterostructures・process informatics for materials

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• Modeling indium migration on vicinal GaN(0001): An Ab initio study2026 · SURFACE SCIENCE 767 2026年4月 （ ISSN: 0039-6028 eISSN: 1879-2758 ）
• Chemical vapor deposition of compound semiconductors: process simulation and experimental validation2026 · APPLIED PHYSICS EXPRESS (Noteworthy Excellent Topics) 19 ( 1 ) 010101 - 010101 2026年1月 （ ISSN: 1882-0778 eISSN: 1882-0786 ）
• Intrinsic Step Jamming in Nanometer-Scale KPZ-Like Rough Surfaces under Interface-Limited Crystal Growth and Retreat2026 · CRYSTAL GROWTH & DESIGN 2026年4月 （ ISSN: 1528-7483 eISSN: 1528-7505 ）
• Faceted-rough surface on a crystallite's shape with nanometer-scale Kardar–Parisi–Zhang kinetic rough surfaces for interface-limited growth2025 · Applied Surface Science 708 163579 2025年6月 （ ISSN: 01694332 eISSN: 1873-5584 ）

• 窒化物半導体の非極性面成長における結晶学マップ作成と遠紫外LED応用2025 · 研究課題/領域番号： 25K01680 2025年4月 - 2028年3月
• 半導体化学気相成長の科学2024 · 研究課題/領域番号： 24H00432 2024年 - 2027年
• Atomic-level control of AlGaN hetero-interfaces for deep-UV LED (AtLv-AlGaN)2023 · 2023年 - 2026年12月
• 文部科学省「富岳」成果創出加速プログラム「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」2020 · 2020年4月 - 2023年3月

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