九州大学 · 総合理工学府・総合理工学研究院

研究キーワード二次元ナノ空間・2.5次元物質科学・遷移金属カルコゲナイド・触媒反応・エピタキシャル成長・電気電子・機械・材料工学

ここは公開データのプレビューです。個別の適合理由、連絡角度、保存機能はログイン後に利用できます。

• Integration of High-k Material and Hexagonal Boron Nitride for Top-Gate WS2 Field-Effect Transistors2025
• Bottom-up confined synthesis of air-stable two-dimensional SnS and SnS2 between hexagonal boron nitride nanosheets2025 · ACS Appl. Nano Mater. 8 2693 2025年1月
• Defect migration and phase transformations in 2D iron chloride inside bilayer graphene2025 · ACS Nano 19 4845 2025年1月
• Bottom-Up Confined Synthesis of Air-Stable Two-Dimensional SnS and SnS2 between Hexagonal Boron Nitride Nanosheets2025

• 次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発2024 · 研究課題/領域番号： 24H00407 2024年 - 2026年
• 次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発（基盤研究（A)）2024 · 2024年4月 - 2027年3月
• 層数制御した六方晶窒化ホウ素による革新的トンネル磁気抵抗デバイスの創製（挑戦的研究（萌芽））2023 · 2023年4月 - 2025年3月
• 層数制御した六方晶窒化ホウ素による革新的トンネル磁気抵抗デバイスの創製2023 · 研究課題/領域番号： 23K17863 2023年 - 2024年

• 公式プロフィール