加藤正史Masashi Kato

名古屋工業大学 · 工学部 · 教授

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研究キーワード半導体工学・SiC・GeO2・エピタキシャル成長・光触媒・キャリア再結合

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Heteroepitaxial growth of (1-102)-oriented α-Fe2O3 on corundum-structured rh-ITO electrodes for high-efficiency photoanode applications2026 · Materials Letters. p. 140686-140686 1 p. 研究成果 : ジャーナルへの寄稿 › 記事
Polytype evaluation in 3C-SiC/4H-SiC stacked epilayers on trenched 4H-SiC substrates using Raman spectroscopy2026 · Japanese Journal of Applied Physics. 65 , 3 , p. 12801-12801 1 p. 研究成果 : ジャーナルへの寄稿 › 記事 Nucleation 100% Epitaxy 100% Raman Spectroscopy 100% Epilayers 100% Surface (Surface Science) 50%
Difference in charge carrier recombination among undoped, Nb-, and La-doped SrTiO3 single crystals2026 · Materials Letters. 408 , p. 140110-140110 1 p. 研究成果 : ジャーナルへの寄稿 › 記事
Multi-active-site perovskite ceramic layered double hydroxides for high-performance hydrogen evolution in alkaline electrolysis2026 · Ionics. 研究成果 : ジャーナルへの寄稿 › 記事

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