東北大学 · 電気通信研究所 · 准教授

研究キーワードAnalytical・(journal)・ロバスト半導体デバイス・Silicon・Chemistry・IV族半導体・バンドエンジニアリング・Chemical

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• Low-Energy Plasma CVD for Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors in Nanoelectronics (eBook)2017 · Chemical Vapor Deposition (CVD): Types, Uses and Selected Research, Chapter: 4, Publisher: Nova Science Publishers, Editors: Monica Powell, pp.61-115 61-115 2017年2月
• Propagation characteristics of Si nitride optical waveguide integrated with Si p-i-n diodes for light emitter and detectorA Yamada, M Sakuraba, J Murota, K Wada, LC Kimerling
• Phosphorus doping in Si1-x-yGexCy epitaxial growth by low-pressure chemical vapor deposition using a SiH4-GeH4-CH3SiH3-PH3-H-2 gas systemD Lee, T Noda, H Shim, M Sakuraba, T Matsuura, J Murota
• Formation and Characterization of Strained Si1-xGex Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate HeatingNaofumi Ueno, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Shigeo Sato

• 材料仮想研究所（汎用分析機器を用いた材料分析の受託）
• 室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作櫻庭 政夫, 室田 淳一
• サーファクタント媒介による緩和Ｇｅ薄膜結晶の形成とデバイス応用鷲尾 勝由, 櫻庭 政夫
• ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作するIV族半導体極微細デバイス室田 淳一, 櫻庭 政夫, 松浦 孝

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