東北大学 · 流体科学研究所 · 教授

研究キーワードFinFET・CMOS circuits・SRAM・low-voltage operational amplifiers・PBTI reliability・metal-gate transistors・IoT sensor nodes

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• Rigorous design of 22-nm node 4-terminal SOI FinFETs for reliable low standby power operation with semi-empirical parametersSeongjae Cho, Shinichi O'uchi, Kazuhiko Endo, Sang Wan Kim, Younghwan Son, In Man Kang, Meishoku Masahara, James S. Harris, Byung Gook Park
• Floating gate type SOI-FinFET flash memories with different channel shapes and interpoly dielectric materialsY. X. Liu, T. Nabatame, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'Uchi, W. Mizubayashi, Y. Morita, S. Migita, H. Ota, T. Chikyow, M. Masahara
• Dopant profiling in vertical ultrathin channels of double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by using scanning nonlinear dielectric microscopyMeishoku Masahara, Shinichi Hosokawa, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Yuuichi Naitou, Hisao Tanoue, Eiichi Suzuki
• Bias temperature instability in tunnel field-effect transistorsWataru Mizubayashi, Takahiro Mori, Koichi Fukuda, Yuki Ishikawa, Yukinori Morita, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yongxun Liu, Shinichi O'Uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara, Kazuhiko Endo

• 直接ギャップを有するIV族系新材料クラスレートの創成と物性解明久米 徹二, 福山 敦彦, 鵜殿 治彦, 大橋 史隆, 遠藤 和彦, 平山 尚美, KUMAR RAHUL, 今井 基晴
• 半導体デバイス特性向上のためのゲルマニウムおよび有機金属の酸化反応の解明遠藤 和彦, 徳増 崇
• 超並列アナログ脳型ＬＳＩに向けたナノ構造メモリ素子とその集積回路化の研究森江 隆, 高橋 庸夫, 寒川 誠二, 遠藤 和彦, 田向 権, 大野 武雄, 久保田 智広, 東原 敬, 安藤 秀幸, 富崎 和正, 加藤 孝史, 王 権, 谷村 大志, 山口 正登志, 原田 將敬, 岩元 剛毅, 山下 健弥
• 無欠陥ナノ周期構造によるフォノン場制御を用いた高移動度半導体素子寒川 誠二, 福山 敦彦, 遠藤 和彦, 野村 政宏

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