電気通信大学 · 情報理工学研究科 · 教授

研究キーワード量子ナノ構造・compound semiconductor・crystal growth・epitaxial growth・molecular beam epitaxy・Optoelectronics・Photoluminescence・Quantum

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• Self-Formation of InAs/InGaAsSb type-II Superlattice Structures on InP Substrates by MBE and Their Application to Mid-Infrared LEDs K. Uno; N. Iijima; N. Miyashita; K. Yamaguchi AIP Advances, 12巻, 掲載ページ 085301-1-085301-6, 出版日 2022年08月, 査読付 研究論文（学術雑誌）, 英語2022 · 論文
• Quantum Dot Phase Transition Simulation with Hybrid Quantum Annealing via Metropolis-Adjusted Stochastic Gradient Langevin Dynamics K. Shiba; R. Sugiyama; K. Yamaguchi; T. Sogabe Advances in Cond. Mat. Phys., Art. ID 9711407巻, 掲載ページ 1-11, 出版日 2022年04月, 査読付 研究論文（学術雑誌）, 英語2022 · 論文
• InAs/GaAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dot Lasers M. Tanaka; K. Banba; T. Sogabe; K. Yamaguchi Appl. Phys. Express, 14巻, 掲載ページ 124002-1-124002-4, 出版日 2021年12月, 査読付 研究論文（学術雑誌）, 英語2021 · 論文
• Experimental Demonstration of Energy-Transfer Rachet Intermediate-Band Solar Cell T. Sogabe; C. Hung; R. Tamaki; S. Tomic; K. Yamaguchi; N. Ekins-Daukes; Y. Okada Communications Physics., 4,(2021)巻, 掲載ページ 1-10, 出版日 2021年03月01日, 査読付 研究論文（学術雑誌）, 英語2021 · 論文

• Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用 山口浩一 研究期間 2022年04月01日 - 2025年03月31日2022 · 共同研究・競争的資金等の研究課題
• ナノ液滴成長法によるSiO2/Si基板上へのInGaN量子ドットの自己形成 研究期間 2017年04月 - 2020年03月2017 · 共同研究・競争的資金等の研究課題
• 高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 革新的新構造太陽電池の開発 超高効率・低コストⅢーⅤ化合物太陽光電池モジュールの研究開発(高密度量子ドット成長技術） 山口浩一 (研)新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO), 政府系研究プロジェクト 研究期間 2015年07月21日 - 2020年02月29日2015 · 共同研究・競争的資金等の研究課題
• 高密度・高均一量子ﾄﾞｯﾄの作製技術を用いた次世代量子ドットレーザーの試作開発 山口 浩一 JST, 知的活用促進ﾊｲｳｪｲ｣大学特許価値向上支援, 研究代表者 研究期間 2011年 - 2012年2011 · 共同研究・競争的資金等の研究課題

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