名古屋大学 · 未来材料・システム研究所 · 教授

研究キーワード電子材料・MOVPE・InGaN・GaN・LED・窒化物半導体

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• Study of beryllium acceptor states in aluminum nitride via cathodoluminescence analysis2026 · APPLIED PHYSICS LETTERS 128 巻 ( 3 ) 2026年1月
• Characterization of GaN layers grown on polycrystalline AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy2026 · JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 680 巻 2026年4月
• Wavelength-tailored and dislocation-free InGaN nanoplatelets as pseudo-substrates fabricated by selective etching and regrowth2026 · JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 65 巻 ( 2 ) 2026年1月
• Comparative study of quantum efficiency for InGaN photocathodes using various alkali metals2026 · JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 44 巻 ( 1 ) 2026年1月

• OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの新規活性化プロセス開発2025 · 研究課題/研究課題番号： 25K00038 2025年4月 - 2028年3月
• 全窒化ガリウムパワー統合プラットフォームの開発に関する研究2025 · 研究課題/研究課題番号： 25KF0043 2025年4月 - 2027年3月
• 真空光トランジスタの創成と超高周波電磁波発生2024 · 研究課題/研究課題番号： 24H00319 2024年4月 - 2027年3月
• 熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製2024 · 研究課題/研究課題番号： 24K01579 2024年4月 - 2027年3月

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