名古屋大学 · 工学部 / 工学研究科 · 教授

研究キーワードGaN MOSFET・SiC MOSFET・AlN分子線エピタキシー・AlGaN/GaN HEMT・GaN基板再利用・縦型GaNパワーMOSFET・分極ドーピング・非線形光学係数・欠陥発光寿命

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• Improvement of Gate Length Dependence in Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Dual-Gate HEMTs2024 · IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 71 巻 ( 9 ) 頁： 5280 - 5288 2024年9月
• Record high electron mobilities in high-purity GaN by eliminating C-induced mobility collapse2024 · APPLIED PHYSICS LETTERS 124 巻 ( 1 ) 2024年1月
• Engineered interface charges and traps in GaN MOSFETs providing high channel mobility and E-mode operation2024 · JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63 巻 ( 12 ) 2024年12月

• InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化2014 · 研究課題/研究課題番号： 26600090 2014年4月 - 2017年3月
• 温度に依存しない感度特性を持つ５００℃まで動作可能な炭化珪素紫外光検出器の実現2012 · 研究課題/研究課題番号： 24656230 2012年4月 - 2014年3月
• 炭化珪素基板上へのⅢ族窒化物の超高品質コヒーレント成長の基礎とデバイス応用2012 · 2012年4月 - 2016年3月
• 超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究2009 · 2009年4月 - 2010年3月

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