九州大学 · 総合理工学府・総合理工学研究院

研究关键词TSV形成プロセス・非晶質Ge結晶化・Raman分光・半導体実装・Au誘起横方向成長・PECVD絶縁膜・Si深孔エッチング・フラッシュメモリ耐放射線性

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• Raman spectroscopy evaluation for solid phase crystallization of amorphous Ge/Mg/SiO2 stacked structure2026 · Japanese Journal of Applied Physics 65 ( 6 ) 06SP35 - 06SP35 2026年3月 （ ISSN: 0021-4922 eISSN: 1347-4065 ）
• Experimental Study of the Polarization Properties of Anodic Porous Alumina Membranes Embedded with Gold through Electrolysis2025 · Sensors and Materials 37 ( 10 ) 4383 - 4383 2025年10月 （ ISSN: 0914-4935 eISSN: 2435-0869 ）
• Enhancement of Mg-induced lateral crystallization of amorphous germanium on an insulating substrate by two-step annealing2024 · JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63 ( 2 ) 02SP50 - 02SP50 2024年1月 （ ISSN: 0021-4922 eISSN: 1347-4065 ）
• Assessment of Radiation Tolerance of Flash Memory by γ-Ray Irradiation.2024 · J. Robotics Mechatronics 36 ( 1 ) 88 - 94 2024年2月

• 「半導体産業の強化及びユーザー産業を含めた新たな産業エコシステムの形成」2023 · 2023年 - 2033年
• 文部科学省次世代X-nics半導体創生拠点形成事業2022 · 2022年 - 2025年
• 低温（≦150℃）成長法によるIV族半導体結晶の面方位制御2017 · 研究課題/領域番号： 17K06363 2017年 - 2019年
• 触媒成長を用いたⅣ族半導体結晶形成プロセスの極低温化2014 · 研究課題/領域番号： 26870815 2014年 - 2015年

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