名古屋大学 · 未来材料・システム研究所

研究关键词GaN vapor phase epitaxy・semi-insulating GaN・nonpolar InGaN LEDs・trihalide vapor epitaxy・GaN laser diodes・CdTe epitaxy・quantum-well polarization・bulk GaN substrates

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• Diffusion of Acceptor Metal Impurities from Semi-Insulating GaN into Undoped GaN Epitaxial Layers2025 · Physica Status Solidi (b) 頁： 2500021 - 2500021 2025年3月
• Electrical Characterization of AlGaN/ GaN-HEMTs on Semi-Insulating GaN Substrates Doped With Fe, C, or Mn and Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy2024 · IEEE Transactions on Electron Devices 2024年3月
• Realization of High-Resistive Ni-doped GaN Crystal by Hydride Vapor-Phase Epitaxy2024 · Physica Status Solidi b 頁： 2300584 2024年
• Revease Leakage Mechanism of Dislocation-Free GaN Vertical p-n Diodes2023 · IEEE Electron Device Letters 44 巻 ( 7 ) 頁： 1172 - 1175 2023年7月

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