名古屋大学 · 未来材料・システム研究所 · 特任講師

研究关键词パワーデバイス、デバイス設計、デバイスプロセス、結晶欠陥、転位、レーザ加工、GaN、SiC、半導体デバイス物理

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• Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers2024 · Journal of Applied Physics 135 巻 ( 18 ) 2024年5月
• 15 GHz GaN Hi-Lo IMPATT Diodes with Pulsed Peak Power of 25.5 W2024 · IEEE Transactions on Electron Devices 71 巻 ( 3 ) 頁： 1408 - 1415 2024年3月
• Demonstration of recycling process for GaN substrates using laser slicing technique towards cost reduction of GaN vertical power MOSFETs2024 · Applied Physics Express 17 巻 ( 2 ) 2024年2月
• Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field-Effect Transistors2023 · Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 220 巻 ( 16 ) 2023年5月

• シングルモードマイクロ波を用いたGaNの加熱応答の究明と加熱プロセスの開発2024 · 研究課題/研究課題番号： 24K07591 2024年4月 - 2027年3月
• HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製2022 · 研究課題/研究課題番号： 22K18808 2022年6月 - 2024年3月
• GaNパワーデバイス実用化に向けたデバイス内部の電界強度分布直接観察に関する研究2020 · 研究課題/研究課題番号： 20K04578 2020年4月 - 2023年3月
• ５Gの普及・展開のための基盤技術に関する研究開発2018 · 2018年4月 - 2020年3月

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