名古屋大学 · 工学部 / 工学研究科 · 准教授

研究关键词GeSn semiconductors・infrared photodetectors・resonant tunneling diodes・epitaxial growth・surface passivation・SiSn alloys・thin-film semiconductors

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• Mid-Wave Infrared Photodetectors using Strain-Relaxed Ge0.8Sn0.2 Epitaxial Layers on Ge Substrate Grown by Sputtering Method2026 · Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Volume 209, July 2026, 110627-1〜7 2026年3月
• High-operating-temperature short-wave infrared detector featuring Ge0.93Sn0.07 thin film with simple pn junction structures2026 · Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 65, No. 1, pp. 01SP15-1〜5 2026年1月
• Effect of mesa geometry on leakage current in Ge1-xSnx-based p-n junction diodes2026 · Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 65, No. 5, pp. 06SP26-1〜7 2026年3月
• Formation of two-dimensional-like Ge1-ySny ultra-thin crystal by segregation method2026 · Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 65, No. 5, pp. 05SP26-1〜6 2026年3月

• 汎用量子制御技術のための擬平衡IV族混晶半導体ヘテロ構造創製 (分担)2026 · 研究課題/研究課題番号： 26H02239 2026年4月 - 2029年3月
• 14族ナノシート科学の創成（領域代表）2024 · 研究課題/研究課題番号： 24B208 2024年4月 - 2027年3月
• 14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング2024 · 研究課題/研究課題番号： 24H00314 2024年4月 - 2029年3月
• 14族ナノシートの合成2024 · 研究課題/研究課題番号： 24H00850 2024年4月 - 2027年3月

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