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東北大学 · 電気通信研究所

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研究关键词グラフェン・二次元ヘテロ構造・テラヘルツレーザー・グラフェントンネルダイオード・グラフェンSiC界面・時間分解光電子分光・コヒーレントフォノン分光・nanoESCA・エピタキシャルグラフェン

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Graphene-based 2D-heterostructures for terahertz lasers and amplifiers2019 · Proc. SPIE [SPIE Photonics West, Conference 10917: Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XII, San Fransisco, CA, USA] 10917 109170G-1-10 2019年3月1日
Terahertz photoluminescence from narrow gap HgTe/CdHgTe heterostructures and multilayer graphene2019 · RJUSE2019: 8th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies, & GDR-I FIR-LAB Workshop Dig., Nizhny Novgorod, Russia, 1 (1) P-13-1-2 2019年7月8日
Fabrication of Gate Tunable Graphene Lateral Tunnel Diodes2018 · 2018 MRS Fall Meeting Dig., Hynes Convention Center, Boston, MA, USA, 1 (1) NM01.07.16 2018年11月25日
Effect of dissolved oxygen on etching process of Si(111) in 2.5% NH3 solutionH Fukidome, M Matsumura

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Graphene-based 2D-heterostructures for terahertz lasers and amplifiers2019 · Proc. SPIE [SPIE Photonics West, Conference 10917: Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XII, San Fransisco, CA, USA] 10917 109170G-1-10 2019年3月1日
Terahertz photoluminescence from narrow gap HgTe/CdHgTe heterostructures and multilayer graphene2019 · RJUSE2019: 8th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies, & GDR-I FIR-LAB Workshop Dig., Nizhny Novgorod, Russia, 1 (1) P-13-1-2 2019年7月8日
Fabrication of Gate Tunable Graphene Lateral Tunnel Diodes2018 · 2018 MRS Fall Meeting Dig., Hynes Convention Center, Boston, MA, USA, 1 (1) NM01.07.16 2018年11月25日
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