筑波大学 · 数理物質系 · 教授

研究关键词パワーデバイス・SiC MOSFET・しきい値電圧・スイッチング損失・チャネル移動度・短絡耐量

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• 1.2 kV SiC-DioMOSの高温条件下でのオン抵抗-負荷短絡耐量トレードオフ特性2026 · 論文
• 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのスイッチング損失に及ぼすチャージインバランスの影響解析2026 · 論文
• 1.2 kV SiC DioMOSチャネル移動度の温度特性解析2026 · 論文
• オン抵抗、アバランシェ耐量、ならびに負荷短絡耐量を同時改善する1.2-kV SiC MOSFETの最適ゲート構造の検討2025 · 論文

• 高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞならびに高信頼性実現を目指したSiCﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ向け低ｲﾝﾀﾞｸﾀﾝｽﾊﾟｯｹｰｼﾞの開発2022 · /2022年度つくば産学連携強化プロジェクト 「筑波大学・産総研 合わせ技ファンド」
• 高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞでさらなる低ｽｲｯﾁﾝｸﾞ損失の実現を目指したSiCﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ向け低ｲﾝﾀﾞｸﾀﾝｽﾊﾟｯｹｰｼﾞの開発2021 · /産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト
• SiCスーパージャンクション、バイポーラデバイス要素技術開発、高耐圧モジュール及び電力制御の要素技術開発2021 · 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO)/クリーンエネルギー分野における革新的要素技術の国際共同研究開発事業
• SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究2021 · 日本学術振興会/基盤研究(B)

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