名古屋大学 · 工学部 / 工学研究科 · 准教授

研究关键词電子デバイス・点欠陥評価・深い準位過渡応答分光(DLTS)・パワー・デバイス・III族窒化物半導体・窒化ガリウム

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• Characterization of deep levels formed by intrinsic defects in homoepitaxially grown GaN2026 · Proceedings of SPIE. Photonics West 2026 2026年3月
• Behavior of excess donor-like defects induced by implantation of various ion species and subsequent annealing in n-type GaN layers2026 · JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 65 巻 ( 3 ) 2026年2月
• Extremely small trap concentrations in high-purity n-type GaN grown by quartz-free hydride vapor phase epitaxy2026 · APPLIED PHYSICS EXPRESS 19 巻 ( 2 ) 2026年2月
• High Mg activation with suppressed Mg diffusion during ultra-high-pressure annealing via sequential nitrogen-ion implantation in Mg-ion-implanted GaN2025 · APPLIED PHYSICS EXPRESS 18 巻 ( 6 ) 2025年6月

• 縦型窒化アルミニウム素子の作製技術の確立2024 · 研究課題/研究課題番号： 23K26556 2024年4月 - 2027年3月
• 高圧水中レーザーアニールによる窒化ガリウム超臨界水低温酸化手法の創出2015 · 2015年4月 - 2016年3月
• 積層構造レーザーアニールによる非晶質基板上単結晶ゲルマニウム薄膜の低温形成2011 · 2011年4月 - 2013年3月
• 同一ポリタイプ4H-AlN/4H-SiCヘテロ界面の電子デバイス応用に関する研究2009 · 2009年9月 - 2011年3月

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