Kobe University · Graduate School of Engineering / Faculty of Engineering · 教授

Research keywordsMEMS resonators・short wave infrared sensing・MEMS tactile sensor・surface enhanced Raman spectroscopy・silicon nanowires・microresonator optical sensing・SiC piezoresistive effect

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• Short-wavelength infrared light sensing using an electrostatic MEMS resonator integrated with a plasmonic optical absorber2024 · Elsevier BV, 2024年10月, Sensors and Actuators A: Physical, 376, 115391 - 115391
• Crystallographic orientation dependence in creep deformation of micron-thick silicon films for 3-D microstructures2024 · Elsevier BV, 2024年12月, Sensors and Actuators A: Physical, 379, 115861 - 115861
• Fabrication of Tri-Axial MEMS Tactile Sensor for Minimally Invasive Medical Application using Wafer-Level Packaging2023 · Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan), 2023年01月, IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines, 143(1) (1), 13 - 18
• Integration of silicon nanowire bridges in microtrenches with perpendicular bottom-up growth promoted by surface nanoholes2022 · 2022年, Japanese Journal of Applied Physics, 61(7) (7), 英語

• ナノ半導体の界面キャリア密度が弾性歪み誘起電気伝導特性に及ぼす影響評価 磯野 吉正 日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 神戸大学, 2024年04月01日 - 2027年03月31日2024 · KUID parsed section
• 表面ポテンシャル変調を考慮した半導体ナノ細線の弾性歪み誘起電気伝導特性の解明 磯野 吉正, 菅野 公二 日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 神戸大学, 2021年04月01日 - 2024年03月31日2021 · KUID parsed section
• 半導体ナノ細線の弾性歪み誘起電気伝導特性に対する表面電位の関与解明 磯野 吉正, 菅野 公二 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 基盤研究(B), 神戸大学, 2018年04月01日 - 2021年03月31日, 研究代表者 表面電位がSiCナノワイヤ(NW)のピエゾ抵抗効果に及ぼす影響を明らかにするため、SiCNWをチャネルとするFET型曲げ試験デバイスを作製し、曲げ歪み作用下でゲート電圧を変化させながら、SiCNWのゲージ率を評価した。無歪み状態でのFET特性は、誘電体に正の固定電荷を持つSiO2シェルを用いた場合はn型電子輸送特性を示し、負の固定電荷を持つAl2O3シェルの場合はp型特性を示した。また、歪み作用時のSiCNWの抵抗変化率においても、SiO2被覆NWはn型半導体特有の負のゲージ率を示し、Al2O3被覆NWは正のゲージ率を示した。さらに、ゲート電圧の増減により、ゲージ率は大きく変化した。 競争的資金2018 · KUID parsed section
• MEMS・高温クリープ成形融合技術によるSi薄膜立体成形と医療用触覚センサの開発 磯野 吉正 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究, 挑戦的萌芽研究, 神戸大学, 2016年04月01日 - 2018年03月31日, 研究代表者 本研究では、単結晶Si薄膜の高温パンチクリープ成形技術を確立し、同手法を用いて医療用用極小触覚センサを新開発した。先ず、高温パンチクリープ成形シミュレーションに必須となる、Si薄膜に対するクリープ特性を逆解析的に定量評価した。得られたクリープ特性を用いたセンサ成形シミュレーションの結果と実験結果とは10%以内の誤差で一致し、逆解析で求めたクリープ特性が妥当であることが示された。センサ力検出領域が直径0.32mmの微小触覚センサを、有限要素解析（FEA）によって設計した。最後に、パンチクリープ成形技術による触覚センサの製作に成功し、同センサの力検出感度はFEAによる設計値とほぼ一致した。 競争的資金2016 · KUID parsed section

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