Meiji University · Graduate School of Science and Engineering / Faculty of Science and Engineering

Research keywordsGaN surface fluorination・photoelectron spectroscopy・ferroelectric HfZrO2・atomic layer deposition・dopant site analysis・oxide semiconductors・2D material sensors

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• Effects of nitrosyl fluoride based gas treatment on fluorination and redox reaction at GaN surface and Pt/GaN interface2025 · Journal of Applied Physics 137 ( 9 ) 095304 2025年3月
• Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001)2024 · Nano Letters 2024年4月
• NF3 and F2 gas fluorination of GaN surface and Pt/GaN interface analyzed by hard X-ray photoelectron spectroscopy2024 · Applied Surface Science 659 159941 - 159941 2024年6月
• Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films2023 · Solid-State Electronics 108801 - 108801 2023年10月

• データ駆動多次元顕微分光による原子層デバイスの寄生抵抗の解明と制御2025 · 研究課題/領域番号： 25K01628 2025年4月 - 2028年3月
• フッ化物高誘電体材料/半導体界面制御による高機能半導体素子の創出2020 · 研究課題/領域番号： 20H02188 2020年4月 - 2023年3月
• 強誘電体表面誘起電荷と焦電性を融合したπ電子伝導制御型自立駆動電子素子の創出2016 · 研究課題/領域番号： 16K06284 2016年4月 - 2019年3月
• 強誘電体分極・表面電荷を用いたπ電子材料の機能制御と電界効果素子の開発2014 · 2014年7月 - 2015年6月

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