Meiji University · Graduate School of Science and Engineering / Faculty of Science and Engineering

Research keywords半導体薄膜・SiGeエピタキシャル成長・ラマン応力解析・MoS2トランジスタ・WSe2トランジスタ・ニオブ硫化物コンタクト・シリコン太陽電池・電気化学CO2還元・イオン交換膜水輸送・SiGeナノドット

This is a public-data preview. Personalized fit, contact angles, and saved workflows require sign-in.

• Evaluation of lateral distribution of Si strain around Cu through Si via by micro-Raman spectroscopy2026 · Japanese Journal of Applied Physics 2026年3月
• Epitaxial growth and crystal structure transitions of Nb-doped (Ga x In1−x )2O3 thin films on SrTiO3(111) substrates2026 · Japanese Journal of Applied Physics 2026年4月
• Contact engineering of metallic Ni-integrated niobium sulfide via H2S treatment for enhanced MoS2 transistor performance and CMOS compatibility2026 · Scientific Reports 2026年3月
• X-ray characterization of multilayered SiGe nanodots depending on the Si spacer growth temperature2026 · Materials Science in Semiconductor Processing 2026年6月

• 天然化合物をベースとした水素キャリアに関する研究2025 · 研究課題/領域番号： 26420258 2014年4月 - 2017年3月
• 超薄膜ＧｅおよびＳｉＧｅの極微小領域に導入された歪場のラマン分光法による多軸解析2012 · 研究課題/領域番号： 24360125 2012年4月 - 2017年3月
• LSIプロセスによりシリコン結晶に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究2003 · 研究課題/領域番号： 20035012 2008年 - 2009年
• シリコン最表面の微小領域に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究1902 · 研究課題/領域番号： 19026013 2007年

• Official profile