Nagoya University · Faculty of Engineering / Graduate School of Engineering · 助教

Research keywordsgesn epitaxy・resonant tunneling・surface passivation・molecular beam epitaxy・semiconductor diodes

This is a public-data preview. Personalized fit, contact angles, and saved workflows require sign-in.

• Formation of two-dimensional-like Ge1-ySny ultra-thin crystal by segregation method2026 · JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 65 巻 ( 5 ) 2026年3月
• Surface Passivation Technique for Ge1-x Sn x -Based Diodes by GeO2 Atomic Layer Deposition with Postoxidation Annealing2025 · ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 7 巻 ( 15 ) 頁： 6908 - 6915 2025年8月
• Emergence of Negative Differential Resistance Through Hole Resonant Tunneling in GeSn/GeSiSn Double Barrier Structure2025 · IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY 13 巻 頁： 79 - 85 2025年
• Room-Temperature Operation of Ge1-x Sn x /Ge1-x-y Si x Sn y Resonant Tunneling Diodes Featured with H2 Introduction during Molecular Beam Epitaxy2025 · ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 7 巻 ( 16 ) 頁： 7688 - 7696 2025年8月

• 省電力／超高速ナノＣＭＯＳのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生2010 · 2010年5月 - 2014年3月
• ナノ領域における極微少電流特性のキャリアセパレーション評価技術の開発2007 · 2007年
• ナノシステム機能化Ｈｉｇｈ－ｋゲート／歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成2006 · 2006年7月 - 2010年3月

• Official profile