Okayama Prefectural University · Department of Information and Communication Engineering · 教授

Research keywords半導体物性・Semiconductor Molecular Simulation Silicon・結晶成長・第一原理計算・格子欠陥・新材料探索・専門分野: 応用物理学、半導体物性工学、材料工学・半導体シリコン単結晶・シリコン単結晶・数値シミュレーション

This is a public-data preview. Personalized fit, contact angles, and saved workflows require sign-in.

• Gettering mechanism in hydrocarbon molecular ion implanted epitaxial silicon wafers revealed by three dimensional atom imaging A. Onaka-Masada, R. Okuyama, T. Nakai, S. Shigematsu, H. Okuda, K. Kobayashi, R. Hirose, T. Kadono, Y. Koga, M. Shinohara, K. Sueoka, K. Kurita Jpn. J. Appl. Phys., , 57, pp. 091302 (7 pages), 20182018
• Gettering Sinks for Metallic Impurities Formed by Carbon Cluster Ion Implantation in Epitaxial Silicon Wafers for CMOS Image Sensor A. Onaka-Masada, R. Okuyama, S. Shigematsu, H. Okuda, T. Kadono, R. Hirose, Y. Koga, K. Sueoka, K. Kurita IEEE J. Electron Devices Society, in press, 20182018
• 単結晶Ge 薄膜の表面極近傍におけるC，Sn 原子の安定配置に 関する第一原理解析 只野快，末岡浩治 日本機械学会論文集, 84, 1-13, 20182018
• Effect of low oxygen concentration layer on iron gettering capability of carbon cluster ion implanted Si wafer for CMOS image sensors A. Onaka-Masada, T. Nakai, R. Okuyama, H. Okuda, T. Kadono, R. Hirose, Y. Koga, K. Kurita, K. Sueoka Jpn. J. Appl. Phys., , 57, pp. 021304 (6 pages), 20182018

• 原子レベルの欠陥制御に資する計算手法の開発とパワーデバイス用半導体への適用
• 次世代半導体基板の開発に関する基礎研究
• 実現する原子配置と材料物性値の計算手法の開発とIV族半導体結晶の高品位化への適用
• 450 mm直径Si単結晶育成における点欠陥の精密制御に関する基礎研究

• Official profile
• ORCID