Tohoku University · Institute for Materials Research

Research keywordspositron annihilation・atom probe tomography・grain boundary segregation・irradiation damage・Fe-Cu alloys・vacancy defects・Si semiconductors・gamma detectors

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• Revisiting room-temperature 1.54 mu m photoluminescence of ErOx centers in silicon at extremely low concentration2017 · 2017 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 105-106 2017年
• Recovery features of kink boundaries upon post-annealing of a hot-extruded Mg-Zn-Y alloyDaisuke Egusa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Eiji Abe
• Atom probe tomography of nanoscale electronic materialsD. J. Larson, T. J. Prosa, D. E. Perea, K. Inoue, D. Mangelinck
• 陽電子消滅同時計数ドップラー広がりによる元素分析法井上耕治, 永井康介

• 鉄鋼材料中の組織観察および３次元元素分布解析制度名： The Other Research Programs
• 半導体デバイス中の3次元ドーパント分布解析制度名： The Other Research Programs
• 先端ナノ組織分析による事故時加熱環境を考慮した原子炉構造材料の劣化機構解明と予測永井 康介, 井上 耕治, 外山 健, 清水 康雄, 南雲 一章, 西山 裕孝, 勝山 仁哉, 西山 裕孝, 勝山 仁哉, 松川 義孝
• 陽電子消滅法による耐熱鋼の新しい余寿命予測法の開発井上 耕治

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