Tohoku University · Cooperative Research Center for Future Science and Technology

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• Gate SiO2 Film Integrity on Ultra-Pure Argon Anneal (100) Silicon SurfaceAkinobu Teramoto, Xiang Li, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
• Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing SpeciesTomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yuki Kumagai, Kenichi Abe, Xiang Li, Yukihisa Nakao, Masashi Yamamoto, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori
• Different Properties of Erbium Silicides on Si(100) and Si(551) Orientation SurfacesHiroaki Tanaka, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, Yukihisa Nakao, Tomoyuki Suwa, Kazumasa Kawase, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
• A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10 aA for 80 000 MOSFETs in 80 sTakuya Inatsuka, Yuki Kumagai, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

• 超高感度・高分解能界面分析によるゲート絶縁膜/シリコン界面構造の決定服部 健雄, 木村 健二, 中嶋 薫, 野平 博司, 寺本 章伸, 諏訪 智之, 木下 豊彦
• 原子オーダ平坦な界面を有する３次元立体構造トランジスタの製造プロセスに関する研究大見 忠弘, 平山 昌樹, 後藤 哲也, 諏訪 智之
• 高品質・高信頼性絶縁膜の形成プロセスに関する研究諏訪 智之
• ポリイミド基板上に集積した多数TFTの自己整合的な特性ばらつき均一化技術の確立後藤 哲也, 諏訪 智之

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