Tohoku University · Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials · 教授

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• Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy2020 · Proceedings of SPIE 11280 (112800C) 11280C-1-8 2020年2月
• Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors2020 · 11280 (112800B) 112800B-1-10 2020年2月
• Recent progress on highly-efficient and long-lifetime AlGaN-based light emitting diodesY. Saito, A. Miyazaki, S. Boyama, K. Okuno, H. Ishiguro, T. Takeuchi, K. Shima, S. F. Chichibu
• Reactive RF magnetron sputtering epitaxy of NiO thin films on (0001) sapphire and (100) MgO substratesNishimoto, K., Sugiyama, M., Shima, K., Chichibu, S.F.

• 室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成秩父 重英, 宗田 孝之, 上殿 明良, 羽豆 耕治, 古澤 健太郎
• ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法の提案と酸化物半導体ナノ構造の形成秩父 重英
• 環境に優しい半導体β-FeSi_2を用いた太陽電池の研究長谷川 文夫, 末益 崇, 秩父 重英
• 酸化亜鉛系半導体を用いた室温動作励起子ポラリトンレーザ実現に関する基礎研究秩父 重英

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