University of Tsukuba · Faculty of Pure and Applied Sciences · 教授

Research keywordsSiC MOSFETs・power semiconductor devices・threshold voltage drift・short-circuit withstand capability・avalanche reliability・gate stress・superjunction MOSFETs

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• 1.2 kV SiC DioMOSチャネル移動度の温度特性解析2026 · 論文
• 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのスイッチング損失に及ぼすチャージインバランスの影響解析2026 · 論文
• 量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証2026 · 論文
• 1.2 kV SiC-DioMOSの高温条件下でのオン抵抗-負荷短絡耐量トレードオフ特性2026 · 論文

• ＳｉＣ横型超接合パワーＭＯＳＦＥＴによるワンチップ相補型電力変換器の開発2022 · 日本学術振興会/基盤研究(B)
• 低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発2016 · 日本学術振興会/科学研究費補助金 基盤研究(B)
• 異種原子導入によるSiC／絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新2011 · 日本学術振興会/科学研究費補助金 若手研究（B)

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