Tokyo University of Agriculture and Technology · Graduate School of Engineering / Institute of Engineering · 教授

Research keywords結晶成長、気相成長、エピタキシー、窒化物半導体、酸化物半導体・結晶成長・気相成長・エピタキシー・窒化物半導体・酸化物半導体・HVPE・GaN・Ga2O3

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• Enhancement-Mode $\beta$ -Ga2O3 Current Aperture Vertical MOSFETs With N-Ion-Implanted Blocker
• Thermal and chemical stabilities of group-III sesquioxides in a flow of either N
• Si(001) surface variation with annealing in ambient H-2
• Growth of twin-free cubic In2O3(111) thick layers on c-plane sapphire substrates by halide vapor phase epitaxy

• 原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
• Ga2O3用HVPE装置の研究開発
• 将来のパワーエレクトロニクスを支える基盤研究開発 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発
• 原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出

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