The University of Tokyo · Graduate School of Engineering / Faculty of Engineering · 講師

Research keywordsワイドギャップ半導体・アバランシェ破壊・窒化アルミニウム(AlN)・ショットキー接合・ドリフト速度・パワーデバイス・p-n接合・高電界物性

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• Franz-Keldysh effect in β-Ga2O3Schottky barrier diode under high reverse bias voltage
• AlScN/GaN HEMTs with 4 A/mm on-current and maximum oscillation frequency > 130 GHz
• Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1-xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method
• Effect of growth temperature on the structural and electrical properties of sputter-epitaxial ScAlN on AlGaN/AlN/GaN heterostructures

• IWN 2018 Top Articlesに選出
• 豊田理研スカラー(研究助成)
• 強誘電体/窒化物系半導体ヘテロ接合による革新的トランジスタの創成
• 新奇窒化物半導体ヘテロ接合による二次元電子の制御とデバイス応用

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