The University of Electro-Communications · Graduate School of Information Science and Technology · 教授

Research keywordsフラクタル・diamond・rare-earth・silicon photonics・希土類・epitaxial growth・furactal・Analytical

Research fields電子デバイス、電子機器

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• Electrical properties of heterogeneous integration system with boron-doped isolated single-crystal diamonds on Si substrates Shohei Yamazaki; Daichi Hagiwara; Takahiro Tsukamoto; Hideo Isshiki Diamond and Related Materials, Elsevier BV, 161巻, 掲載ページ 113144-113144, 出版日 2026年01月 研究論文（学術雑誌） DOI URL2026 · 論文
• Si プラットフォーム上ダイヤモンドデバイス集積の実現に向けて 一色 秀夫 筆頭著者, 日本信頼性学会誌「信頼性」, 46巻, 2号, 掲載ページ 49-54, 出版日 2024年03月, 査読付, 招待 研究論文（学術雑誌）, 日本語2024 · 論文
• 反応性ガスパルスと同期したデジタル処理DCスパッタリング 一色 秀夫; 中村 弦人; 田中 康仁; 税所 慎一郎 筆頭著者, 表面と真空, Surface Science Society Japan, 66巻, 8号, 掲載ページ 484-489, 出版日 2023年08月10日, 査読付 研究論文（学術雑誌）, 日本語 URL DOI URL 共同研究・競争的資金等URL2023 · 論文
• Atomically Precise Deposition of (Er0.1Y0.9)2SiO5 Combined with Digitally Processed DC Sputtering and Non-Radical Oxidation Ghent Nakamura; Hideo Isshiki Journal of Vacuum Science & Technology A, American Institute of Physics, 40巻, 5号, 掲載ページ 053406-1-053406-6, 出版日 2022年09月01日, 査読付 研究論文（学術雑誌）, 英語 DOI URL2022 · 論文

• 半導体量子閉じ込め構造間の電子相互作用による秩序形成と光相互作用に関する共同研究 青柳 克信; BROWN Simon; NEWBURY Ric; 野村 晋太郎; 一色 秀夫 日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 理化学研究所, 国際学術研究, 1.試料作製 原子層エピタキシ-法とビームリソグラフィー技術により試料作製を行った。幅が20-30nmの量子細線構造、および、周期150nm幅が25nmチタン/金電極を用いたスプリットゲート法による試料を作製した。これは報告されている試料の中では最小の周期を持つものであり、電子相互作用の観測に適したものと考えられる。 2.測定 輸送現象の測定により閉じ込め構造中の電子密度を測定した。また、強磁場下の光学スペクトルの測定を試料温度を1.9Kから150Kの範囲で行ない、量子閉じ込め構造中の電子密度分布に関する知見を得た。 3.理論解析 実験に使用した試料形状を再現するようなモデル計算をハートレー近似の範囲で行い、電子密度分布を解析した。得られた結果は測定の結果をよく再現した。, 09044112 研究期間 1997年 - 1997年1997 · 共同研究・競争的資金等の研究課題
• 原子層制御された微細量子構造の作製とその物性評価
• 原子層制御エピタキシーによる周期構造変調超格子作製と機能性新物質の創製
• 半導体量子閉じ込め構造間の電子相互作用による秩序形成と光相互作用に関する共同研究

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