Hosei University · Faculty of Science and Engineering · 教授

Research keywordsmetal-insulator transition・scanning tunneling microscopy・semiconductor surfaces・alpha-Sn films・Ga adatom motion・surface spectroscopy

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• Momentum-resolved spectroscopic evidence of a metal-insulator transition in Si (111) √3×√3−Sn2025 · Phys. Rev. B, 2025年,
• Momentum-resolved spectroscopic evidence of a metal-insulator transition in Si (111) √3×√3−Sn H. Nishimichi; T. Machida; S. Ichinokura; S. Kaku; K. Ishihara; K. Tanaka; T. Hanaguri; T. Hirahara Phys. Rev. B, 2025年, ［査読有り］2025
• Scanning tunneling microscopy of strained-α-Sn(0 0 1) surface grown on InSb(0 0 1) substrate2022 · Applied Surface Science, 2022年01月,
• Temperature‐Dependent Tip‐Induced Motion of Ga Adatom on GaAs (110) Surface2020 · Small, 2020年08月,

• Remote epitaxyにおけるGraphene基板上結晶形成メカニズムの解明 法政大学 2023年04月 - 2026年03月2023
• グラフェンを介したエピタキシャル成長の理解と制御 法政大学 2023年04月 - 2024年03月2023
• Remote Epitaxy結晶成長における原子配列の精密測定 東京工業大学 2022年01月 - 2023年03月2022
• Remote epitaxyにおけるGraphene基板上結晶形成メカニズムの解明 東京工業大学 2022年04月 - 2025年03月2022