九州大学 · マス・フォア・イノベーション連係学府

研究キーワードGe薄膜・SnドープGe・GeSnオンインシュレータ・固相結晶化・エキシマレーザドーピング・薄膜トランジスタ・層交換結晶化・低温半導体プロセス・InSb薄膜・ショットキー障壁制御

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• Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023)2024 · JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63 ( 2 ) 2024年2月 （ ISSN: 0021-4922 eISSN: 1347-4065 ）
• Excimer Laser Doping for PN Junction Formation with Extremely Low Thermal Budget2023 · 30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings 159 - 160 2023年 （ ISBN: 9784991216947 ）
• Sn-Doped Si Thin-Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization2023 · 30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings 157 - 158 2023年 （ ISBN: 9784991216947 ）
• Grain Enlargement of Ultrathin Si Films on Insulators by Sn-Doping2023 · Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials - 871 - 872 2023年

• 金属触媒成長法による高キャリア移動度Ge結晶/絶縁膜の創製2010 · 2010年
• 強磁性体シリサイドの形成とソース/ドレインエンジニアリング2006 · 研究課題/領域番号： 18063018 2006年 - 2009年
• シリサイド半導体の格子歪み制御による1.5μm帯発光の高効率化と波長多重化2004 · 研究課題/領域番号： 16560277 2004年 - 2006年
• ガラス上における歪みＳｉＧｅ結晶の創製と薄膜トランジスタの超高移動度化2004 · 研究課題/領域番号： 16360010 2004年 - 2006年

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