Nagoya University · Institute of Materials and Systems for Sustainability

Research keywordssilicon carbide defects・4H-SiC・stacking faults・threading dislocations・ion implantation・SiC crystal growth・birefringence imaging・power semiconductor reliability

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• Suppression of stacking faults expansion by backside proton implantation into SiC substrates2026 · MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 203 巻 頁： 110262 2026年3月
• Comprehensive identification of novel origins of single Shockley stacking faults in 4H-SiC using UV irradiation and non-destructive defect characterization2026 · SCRIPTA MATERIALIA 271 巻 ( 15 ) 頁： 116994 2026年1月
• Measuring the stress tensor in nitrogen-doped CVD diamond using solid-state quantum sensor2025 · SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS 26 巻 ( 1 ) 頁： 2546779 2025年12月
• Evaluation of stress tensor around a threading defect in diamond: Application of NV center-based measurement and comparative multi-modal analysis2025 · JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 138 巻 ( 17 ) 2025年11月

• 熱フォノンのアンダーソン局在を利用した極限熱絶縁材料の設計2024 · 研究課題/研究課題番号： 24K01195 2024年4月 - 2027年3月
• 潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計2022 · 研究課題/研究課題番号： 22H00300 2022年4月 - 2025年3月
• 強化学習を利用した素形材製造プロセスの自動化2021 · 2021年4月 - 2022年3月
• ベイズ超解像を用いた走査透過電子顕微鏡法による軽元素原子の可視化2021 · 研究課題/研究課題番号： 21K18819 2021年7月 - 2023年3月

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