Nagoya University · Institute of Materials and Systems for Sustainability · 教授

Research keywordsmonolayer MoS2 epitaxy・van der Waals epitaxy・atomic-resolution electron microscopy・InN-GaN interfaces・Ga2O3 doping・GaN MOSFET interfaces・wurtzite AlPyN1-y・Mg ion implantation in GaN・2D magnesium-intercalated GaN

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• Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS2 for scalable 2D electronics2026 · NATURE COMMUNICATIONS 17 巻 ( 1 ) 2026年1月
• Structure of the very first atomic layer of Ga oxide on GaN at GaN oxidation front2025 · APPLIED PHYSICS LETTERS 127 巻 ( 3 ) 2025年7月
• Direct observation of atomic configuration of a highly oriented MoS2 film/α-Al2O3 (0001) using atomic resolution electron microscopy2025 · APPLIED PHYSICS LETTERS 127 巻 ( 25 ) 2025年12月
• p-type layer formation study for Ga2O3 by employing Ni ion implantation with two-step oxygen plasma and thermal annealing2025 · JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 138 巻 ( 6 ) 2025年8月

• 極微小深紫外半導体レーザダイオードの高出力化と新世代製造システム2021 · 研究課題/研究課題番号： 21H04560 2021年4月 - 2026年3月
• ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明2020 · 研究課題/研究課題番号： 20H00340 2020年4月 - 2025年3月

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